报告发布方：中金企信国际咨询《2024年中国真空镀膜设备行业规模全景分析及预测（含企业市场份额及竞争格局分析）-中金企信发布》

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光伏电池真空镀膜工艺和设备发展现状及趋势分析：真空镀膜（又称薄膜沉积）是光伏电池制造的核心工艺，真空镀膜设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。真空镀膜设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。不同设备和工艺路线对镀膜质量，即致密性、均匀性等产生影响，从而决定了完成钝化所需的膜层厚度。

HJT电池在硅片正反面均要镀制5-10nm的本征非晶硅层作为钝化膜，再在上下表面沉积透明导电氧化物层（TCO），最后制备金属栅线，非晶硅层和TCO层决定了HJT电池的质量。非晶硅层和TCO层的沉积都有两条技术路线。非晶硅层主要是采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和热丝化学气相沉积（CAT-CVD），TCO层主要是反应等离子体沉积（RPD）和物理化学气相沉积（PVD）。

HJT电池镀膜环节及所用设备分析

在非晶硅层沉积方面，PECVD优点是沉积速度快、膜均匀性好，缺点是等离子体对硅片表面产生轰击。CAT-CVD是利用高温热丝催化作用使SiH4分解从而制备硅薄膜，优点是对界面轰击较小，薄膜质量好，硅片钝化效果好，但是其均匀性较差，且维护成本较高。目前来看，PECVD设备为市场主流，国内的理想万里晖、福建钧石、捷佳伟创、迈为股份都实现了该设备的量产能力。非晶硅沉积设备占HJT设备总成本的比重在50%左右，降低PECVD设备成本、提高设备生产能力对于降低设备总成本意义重大。

目前主流沉积非晶硅层的PECVD设备均为板式PECVD，主要原因在于板式PECVD设备使用频率更高的射频等离子体源，对硅片产生轰击较小，生产的电池具有效率优势。但板式PECVD设备采用平板式载板，基片平摊在载板上，使得PECVD设备的占地面积大，产能相对较低，设备投资成本高。管式PECVD设备采用石墨舟载具，单批次装片量大，生产效率更高，但管式PECVD使用的石墨舟结构在高频电源下工作不稳定，在生产中往往使用中频等离子源，频率越低对于硅片的损伤越重，因此管式PECVD的薄膜沉积质量往往不如板式PECVD。

在非晶硅层沉积方面，PECVD优点是沉积速度快、膜均匀性好，缺点是等离子体对硅片表面产生轰击。CAT-CVD是利用高温热丝催化作用使SiH4分解从而制备硅薄膜，优点是对界面轰击较小，薄膜质量好，硅片钝化效果好，但是其均匀性较差，且维护成本较高。目前来看，PECVD设备为市场主流，国内的理想万里晖、福建钧石、捷佳伟创、迈为股份都实现了该设备的量产能力。非晶硅沉积设备占HJT设备总成本的比重在50%左右，降低PECVD设备成本、提高设备生产能力对于降低设备总成本意义重大。

目前主流沉积非晶硅层的PECVD设备均为板式PECVD，主要原因在于板式PECVD设备使用频率更高的射频等离子体源，对硅片产生轰击较小，生产的电池具有效率优势。但板式PECVD设备采用平板式载板，基片平摊在载板上，使得PECVD设备的占地面积大，产能相对较低，设备投资成本高。管式PECVD设备采用石墨舟载具，单批次装片量大，生产效率更高，但管式PECVD使用的石墨舟结构在高频电源下工作不稳定，在生产中往往使用中频等离子源，频率越低对于硅片的损伤越重，因此管式PECVD的薄膜沉积质量往往不如板式PECVD。

随着真空镀膜设备国产化率提高和单线产能提升，预计设备降本持续进行，根据光大证券假设，2023-2025年HJT整线设备价格为3.3/2.9/2.5亿元／GW,HJT设备市场空间为102.6、155.5、250.0亿元，其中PECVD设备市场空间为51.5、77.8、125.0亿元。