报告发布方：中金企信国际咨询《2024年全球及中国功率IC市场研究报告 - 行业产销、供需、及投资预测-中金企信发布》

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功率IC：功率IC是功率半导体的另一重要组成部分，根据中金企信统计数据，2020年全球功率IC市场规模约为243亿美元。功率IC产品主要为PWM控制IC和栅极驱动IC（GateDriver），其中，PWM控制IC系开关电源中的核心元器件，主要应用于AC-DC和隔离式DC-DC开关电源模块；栅极驱动IC主要产品为电机驱动IC，主要用于直流无刷电机驱动和步进电机驱动系统中。

①市场规模：

A、PWM控制IC的市场规模：根据中金企信测算，2021年全球PWM控制IC的市场规模为46.23亿美元，预计2028年将达到67.70亿美元，年化增长率为4.92%。2021年中国PWM控制IC的市场规模约为17.86亿美元，预计2028年将达到30.12亿美元，年化增长率达7.28%；其中中国高可靠领域PWM控制IC市场规模为4.55亿美元，预计2028年将达到7.61亿美元，年化增长率达7.63%。

B、栅极驱动IC的市场规模：根据中金企信统计数据，2021年全球栅极驱动IC市场规模为22.9亿美元，预计2025年将达到37.5亿美元，年化增长率达13.12%。国内栅极驱动IC的市场规模以及应用于高可靠领域的市场规模数据暂无公开资料，按照中国电源管理IC市场规模约占据全球约40%市场份额估算，2021年国内栅极驱动IC市场规模为9.2亿美元，预计2025年将达到15.0亿美元，中国高可靠领域栅极驱动IC的市场规模尚无公开数据。

②竞争格局：

A、PWM控制IC的市场竞争格局：根据相关数据，国际巨头如TI（德州仪器）、ADI（亚德诺半导体）、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在PWM控制IC领域总体处于领先地位，2021年度PWM控制IC中国市场收入前10大公司均为国外公司，排名具体如下：

数据统计：中金企信国际咨询

B、栅极驱动IC的市场竞争格局：根据中金企信统计数据，栅极驱动IC市场集中度相对较高，2021年度栅极驱动IC中国市场收入前10大公司市场占有率合计达到74.4%，其中欧日美公司总体处于领先地位，3家中国大陆企业峰岹科技（688279.SH）、士兰微（600460.SH）和晶丰明源（688368.SH）市场占有率合计为20.1%，具体如下：

数据统计：中金企信国际咨询

C、高可靠领域功率IC的竞争格局：高可靠领域电子元器件市场相对特殊，对供应商的各项资质、研发实力和质量管理体系有相当严格的要求，对产品的质量、可靠性和长期持续稳定供货能力更为关注。高可靠领域客户一般首先考虑向现有合格供应商采购，在现有合格供应商提供的产品无法满足需求时，才会委托新的供应商开发新产品，且新产品认证周期较长，因此国内高可靠领域功率IC产品的市场参与者均具有各自相对擅长的产品领域和较为稳定的下游订单需求，行业内市场化竞争程度较为温和。

③PWM控制IC和栅极驱动IC的国产化率情况：近年来，中国隔离式PWM控制器生产商在国内也占据了一定的市场份额（10%-15%），由此可见PWM控制IC市场国产化率相对较低。

根据中金企信统计数据，2021年度栅极驱动IC中国市场前10大公司的市场占有率为74.4%。这10家公司中仅有3家中国大陆公司，市场占有率合计为20.1%，由此可见栅极驱动IC市场国产化率相对较低。

④功率IC产品的技术门槛：

A.功率IC的技术门槛：

a.对研发团队的专业能力要求较高：功率IC产品属于模拟IC的一种，在产品研发设计时需要在速度、功耗、增益、精度、电源电压、工艺、工作温度、噪声、面积等多种因素间进行考量。功率IC产品内部由多种功能模块电路构成，内部集成的功能模块有高精度低温漂的电压基准源、电流基准源、线性稳压器、高频振荡器、输出驱动模块及各种保护模块，需要充分考虑噪声、串扰等在各功能模块间的影响，每个功能模块电路均会影响到功率IC的性能指标，影响功率IC产品的研发速度和成功率，版图的布局布线的复杂度较高。因此对于功率IC设计公司来讲，需要相对专业资深的设计团队，不断进行功能模块IP电路的验证和储备，才能打磨出高性能的功率IC产品。

b.工艺实现门槛高：功率IC产品集成了低压CMOS、中压CMOS、高压CMOS、LDMOS、双极器件、各种阻容等多种器件，需采用高压BCD工艺来进行设计研发。由于功率IC产品的市场需求多样，晶圆代工厂提供的BCD工艺平台往往无法完全满足产品设计的要求，因此IC设计企业需同时具备工艺和器件的研发能力，能够针对线路设计过程中的需求开发功率IC产品所需要的工艺平台。高压BCD工艺层次多，器件结构复杂，对功率IC产品研发提出较高的要求。

B.PWM控制IC的技术门槛：PWM控制IC的技术门槛主要体现在以下方面：

a.拓扑结构复杂多样：PWM控制IC可用于AC-DC或隔离式DC-DC开关电源模块。为满足不同应用场景的性能指标要求，开关电源模块的拓扑结构较多，可以分为反激、正激、推挽、半桥、全桥、移相全桥等，针对不同功率的应用场景需采用不同的拓扑结构，不同拓扑结构的研发难度亦有所不同。面对多样化的下游需求，设计企业需具备较多PWM控制IC拓扑结构研发能力和对应的工艺平台开发能力。

b.需要支持高开关频率工作：开关频率的高低影响到开关电源系统的功率密度。开关频率高，则可以减小磁性元件、容性元件等无源器件的尺寸和体积，从而降低电源系统的重量和体积，但系统体积减小，则带来热管理问题。因此在提高开关频率的同时，还要确保系统高的工作效率，降低热损耗。

C.栅极驱动IC的技术门槛：栅极驱动IC的技术门槛具体表现在以下方面：

a.需在降低系统损耗前提下实现低传输延迟：栅极驱动IC内部电路工作在100~600V的高压下，产品损耗和传输延时之间呈现负相关关系，即传输延迟越小，损耗越大，限制了产品的工作频率。因此，栅极驱动IC需解决如何在高工作频率、低损耗的前提下，实现低传输延迟。

b.100%占空比应用的线路设计难度大：电机驱动系统需在极强扭矩的场合下工作，因此栅极驱动IC需保证在短时间内能够工作在100%占空比下，使高边功率器件持续导通，输出强功率，对栅极驱动IC的线路设计提出较高的要求。

c.抗dv/dt及抗负压能力要求高：栅极驱动IC的高边电路的地电平为浮地，该电平会在负电平、零电压电平和高压驱动母线电平之间来回跳变，在浮地电平跳变过程中，驱动IC的电平位移电路和驱动输出电路需具有高的抗dv/dt和负压能力，保证输出信号的正确性，这就要求研发团队兼具版图设计和工艺平台开发的能力。